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深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售磁控溅射用的靶材，应用于磁控溅射技术领域，在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。 深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材应用于微电子领域。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、度、低偏析和细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性 已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的度与靶材的度关系极大，过去99.995 %（4 N5） 度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡 层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻 挡层用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等．但是T a 、W 都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
